مقاله استفاده از Heat Sink مشترک جهت حفاظت ترستور در مدار
تعداد صفحات ۱۰ صفحه
قیمت ۱۰۰۰۰ تومان
برای دانلود برروی پرداخت آنلاین کلیک کنید
کاربرد خنک کننده ها در ترانزیستورهای قدرت و آمپلی فایرها
هر چند که از مدارهای مجتمع ( IC ) در کاربردهای توان پایین و سیگنالهای کوچک استفاده می شود غالب کاربردهای توان بالا نیز به ترانزیستورهای قدرت مخصوص نیاز دارند.
پیشرفتها و در نتیجه تصحیحاتی که در تکنیک ساخت ترانزیستورها حاصل شده سبب گردیده تا ترانزیستورهایی با حجم کم و قدرت زیاد و ولتاژ تخریب بالا و سوئچینگ سریعتری ساخته شوند.
حداکثر توانی که یک قطعه تحمل می کند با دمای پیوند ترانزیستور مربوط است زیرا توان تلف شده در قطعه سبب افزایش دما در پیوندهای قطعه می گردد.
مسلما یک ترانزیستور با توان ۱۰۰W توانایی توان بیشتری نسبت به یک ترانزیستور ۱۰W دارد.
از طرف دیگر هر گاه یک قطعه بطور صحیحی خنک شود از نظر توان تحمل بیشتری داشته و اجازه می دهد تا قطعه در نصف حداکثر توانش کار کند.
باید توجه داشت که از دو نوع ترانزیستورهای دو قطبی یعنی ژرمانیم و سیلسیم ترانزیستورهای سیلیکان تحمل بیشتری در مقابل دماهای بالا دارند.
مثلا حداکثر دمای پیوند این دسته از ترانزیستورها در نوع قدرت برابر است با :
برای سیلیکان ۱۵۰C – 200C
برای ژرمانیم ۱۰۰C – ۱۱۰C
در بسیاری از کاربردها توان متوسط تلف شده می تواند با رابطه زیر بیان شود:
Pd = Vce Ic
این توان به هر حال تا وقتی که دما به حداکثر نرسیده مجاز است.
هر گاه دما به حداکثر رسید حداکثر توان باید کاهش یابد بطوریکه وقتی دمای محفظه ترانزیستور به حداکثر رسید توان برابر صفر خواهد بود.
هر چه توانی که باید ترانزیستور تحمل کند بیشتر باشد دمای بدنه آن میتواند بیشتر شود.
در واقع عاملی که مصرف توان را در ترانزیستور محدود می سازد دمای پیوند کلکتور در ترانزیستور است.
